美國NANO-MASTER那諾-馬斯特自2001年開始設計開發(fā)薄膜應用方面的設備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。
應用領(lǐng)域涵蓋了半導體、MEMS、光電子學、納米技術(shù)和光伏等。
設備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應濺、共濺 、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。
1、NIE-3000 IBE離子束刻蝕
NIE-3000IBE離子束刻蝕
產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為手動放片取片，但通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
NIE-3000IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
低成本
離子束：高達2KV/10mA
離子電流密度100-360uA/cm2
離子束直徑：4"，5"，6"
兼容反應及非反應氣體(Ar， O2， CF4，Cl2)
極限真空5x10-7Torr
260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
14"不銹鋼或鋁質(zhì)腔體
水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(NIE-3500)
自動上下載片（NIE-3500）
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
占地面積30"x30"
NIE-3000IBE離子束刻蝕產(chǎn)品應用：
表面處理
離子銑
表面清洗
帶活性氣體的離子束刻蝕： 光柵刻蝕，以及SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
2、NIE-3500 (A)全自動IBE離子束刻蝕
IBE離子束刻蝕
NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為全自動上下載片，并且通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
低成本
帶預真空鎖，自動上下載片
離子束：高達2KV/10mA
離子電流密度100-360uA/cm2
離子束直徑：4"，5"，6"
兼容反應及非反應氣體(Ar， O2， CF4，Cl2)
極限真空5x10-7Torr
260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
14"不銹鋼或鋁質(zhì)腔體
水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(NIE-3500)
自動上下載片（NIE-3500）
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
占地面積30"x30"
NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品應用：
表面處理
離子銑
表面清洗
帶活性氣體的離子束刻蝕： 光柵刻蝕，以及SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
3、NIE-3500 (M) IBE離子束刻蝕
咨詢電話：13522079385
IBE離子束刻蝕
NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。所有核心組件均為國際知名品牌。
NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
低成本
離子束：高達2KV/10mA
離子電流密度100-360uA/cm2
離子束直徑：4"，5"，6"
兼容反應及非反應氣體(Ar， O2， CF4，Cl2)
極限真空5x10-7Torr
260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
14"不銹鋼或鋁質(zhì)腔體
水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(NIE-3500)
自動上下載片（NIE-3500）
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
占地面積30"x30"
NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品應用：
表面清洗
表面處理
離子銑
帶活性氣體的離子束刻蝕
光柵刻蝕
SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
4、NIE-4000 (R) RIBE反應離子束刻蝕
RIBE反應離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000（R）RIBE反應離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度。
NIE-4000（R）RIBE反應離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV，650mA， 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
自動/手動上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min， 硅：500 ?/min
6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖
5、NIE-4000 (A)全自動IBE離子束刻蝕
IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度。
NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV，650mA， 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
自動上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min， 硅：500 ?/min
6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖
